Diossido dell'afnio di analisi dello spettro/ossido Hfo2 Cas dell'afnio nessun 12055-23-1

 

       L'afnio (HfO2) è una lacuna a banda larga e un'alta costante dielettrica di ceramica, recentemente nel campo della microelettronica dell'industria particolarmente è estremamente l'attenzione, perché è più probabile sostituire al il circuito integrato basato a silicio corrente delle componenti del centro della silice dielettrica del portone di (MOSFET) del tubo di effetto del giacimento del semiconduttore ad ossido-metallo (SiO2), per risolvere il MOSFET nello sviluppo della struttura tradizionale limite di dimensione si/di SiO2.

 

1, formula molecolare: HfO2

2. Peso molecolare: 210,6

3. Aspetto: fette bianche o grige, particelle

4. Densità: 9.68g/cm3

5, punto di fusione: 2850 gradi centigrado

6. Pressione di vaporizzazione

A 2678 C, 1Pa

A 2875 C, 10Pa

7. Il coefficiente di espansione lineare: 5,6 x 10-6/K

8. Solubilità: insolubile in acqua

8, purezza: 99,99

9. Caratteristiche del film:

Gamma leggera di trasmissione da 220 a 12000Nm

Indice di rifrazione (250nm) ~ 2,15

(500nm) ~ 2

10. Lo stato di evaporazione:

Pistola elettronica

Pressione parziale dell'ossigeno a 1~2 x 10-2Pa

Temperatura di evaporazione a 2600~2800 gradi centigrado

Temperatura del substrato a 250 gradi centigrado

Tasso di evaporazione 2nm/s

Campo di applicazione: Film di antiriflessione UV, membrana di interferenza

 

 

OGGETTO			SPECIFICHE			RISULTATI DEI TEST
HfO2+Zr (%, min)			min 99,9%			conformi
RI impurità (%, massimi)
Fe			0,0002			conformi
Al			0,0001			conformi
Si			0,002			conformi
Ti			0,01			conformi
B			0,0025			conformi
Pb			0,001			conformi
CD			0,0001			conformi
Cu			0,002			conformi
Cr			0,005			conformi
Mg			0,001			conformi
Mo			0,001			conformi
Mn			0,001			conformi
Ni			0,0015			conformi
Sn			0,002			conformi
V			0,001			conformi
L.O.I (1100℃)			1			conformi
L'altro indice
Dimensione delle particelle (millimetri)			0.1-3			si conformano